[发明专利]半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法

摘要

一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阳止膜构成。

主权项

1.一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有使曝光光透过的透光部、和使一部分曝光光透过的同时使透过的光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和所述相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度，其中，在透明基板上具有用于形成所述相移部的相移膜的半色调型相移掩膜坯料中，其特征在于：所述相移膜至少具有能够用氟系气体干式刻蚀进行刻蚀的上层和、形成于所述上层和透明基板之间，并且对所述氟系气体具有耐性，同时能够用使用不同于所述氟系气体的气体的干式刻蚀进行刻蚀的下层，所述下层材料由选自Al、Ga、Hf、Ti、V及Zr等第一组的金属单体或含有两种以上这些金属的材料(第一材料)构成，或者所述下层材料由在选自Cr、Ge、Pd、Si、Ta、Nb、Sb、Pt、Au、Po、Mo及W等第二组的一种金属中添加选自所述第一组的至少一种金属的材料(第二材料)构成，或者所述下层材料是由在所述金属单体、所述第一材料或第二材料中含有氮和或碳的材料构成。