[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610094698.3 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1893023A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 鹤目卓也;楠本直人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供具有柔性和高物理强度的半导体器件的制造方法。其要点如下：在衬底的一方表面上形成包括多个集成电路的元件层，然后在所述衬底的一方表面一侧的一部分形成具有曲率的孔，接着使所述衬底成为薄(例如，对于所述衬底的另一方表面进行磨削、抛光)，对应于所述孔形成的位置切断该衬底并且使所述衬底的切断面具有曲率，从而形成具有集成电路的叠层体。此外，所述被抛光的衬底的厚度为2至50μm(包括2μm和50μm)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：在衬底的一方表面上形成包括多个集成电路的元件层；在所述衬底的一方表面一侧的一部分中形成具有曲率的孔；使所述衬底成为薄；以及对应于所述孔形成的位置切断所述衬底并且使所述衬底的切断面具有曲率，从而形成具有集成电路的叠层体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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