[发明专利]大功率LED芯片倒焊装方法无效
| 申请号： | 200610095206.2 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1971952A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 唐政维;李秋俊;关鸣;蔡雪梅;何小凡 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘小红 |
| 地址： | 400065重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明请求保护一种大功率LED芯片倒装焊方法，涉及微电子技术领域，本发明所采用的技术方案是在LED芯片上淀积TiNiAg层，在LED芯片电极上淀积金属铟，在硅基板上淀积TiNiAg层，对应于LED芯片电极位置的硅基电板上淀积铟，并在其上制作金球，然后将经上述加工的LED芯片与硅基板倒装焊接在一起，从而形成铟－金－铟焊装结构，以铟作为热膨胀缓冲，使LED芯片装焊的热膨胀失配率大大下降，热匹配性好，热阻小，热量散发快，从而大大提高了大功率LED的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 led 芯片 倒焊装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大功率LED芯片倒焊装方法，其特征在于，该方法包括：(1)分别在LED芯片上和硅基板上淀积TiNiAg层；(2)光刻所述的TiNiAg层，在LED芯片上刻出LED芯片电极和引线，在硅基板上刻出硅基电极和引线；(3)分别在LED芯片上和硅基板上用真空蒸发的工艺淀积铟层；(4)光刻所述铟层，仅保留LED芯片电极和硅基电极上的铟层；(5)在硅基电极的铟层上用金丝制作金球；(6)对经上述步骤加工处理后的LED芯片和硅基板进行划片，形成一个一个独立的LED芯片和硅基芯片；(7)在倒装焊机上将各独立的LED芯片和硅基芯片进行键合。
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