[发明专利]一种CMOS型低压差电压调整器集成电路的制造方法无效
| 申请号： | 200610095249.0 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1996571A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;刘玉奎;何开全;谭开洲;高峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种CMOS型低压差电压调整器的制造方法，它提高了低压差电压调整器的输入电压可调整范围，并保持了其低功耗和低输出压差的特点。技术方案的要点是在常规CMOS工艺的基础上，集成MOS晶体管、N型沟道JFET晶体管以及NPN型晶体管和PNP型晶体管等4部分。其中，MOS晶体管采用了LDD(轻掺杂漏区)结构，提供电路工作电压范围；N型沟道JFET晶体管作为基准电路启动所用；PNP型晶体管作为输出调整管，通过增加P型埋层来降低集电极串联电阻，以保证低压差电路极低的输出电压差；集成内部放大器、基准电路和输出电路所需的NPN型晶体管和PNP型晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 低压 电压 调整器 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS型低压差电压调整器集成电路的制造方法，其包括以下步骤：(1)在高掺杂的N+型硅片上制作埋层；(2)在所述埋层上生长N-型外延层；(3)在所述N-型外延层上采用CMOS工艺，制作包含提供工作电压范围的LDD结构MOS晶体管、作为基准电路启动的N型沟道JFET晶体管、作为内部放大器、基准电路和输出电路所需的NPN和PNP型晶体管的低压差集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
