[发明专利]生产半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610095626.0 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1885507A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 风间健一;中岛经宏;佐佐木弘次;清水明夫;林崇;胁本博树 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产半导体器件的方法，所述器件在硅衬底的第一主表面区域中具有前表面器件结构，在所述硅衬底的第二主表面区域中具有后电极，所述方法包括形成所述后电极的与所述第二主表面相接触的铝硅薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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