[发明专利]功率半导体模块有效
| 申请号： | 200610095628.X | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1885535A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 田久保拡 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的功率半导体模块包括：将功率半导体器件包容其中的模块封装件2A，以及形如框架、且设置在模块2A周围的磁芯6a，从而磁芯6a围绕诸如IGBT的功率半导体器件的芯片8；或者是根据本发明的功率半导体模块包括将功率半导体包容其中的模块封装件2B，以及形如框架、且内置于模块封装件2B中的磁芯6e，从而磁芯6e的外围面和模块封装件2B的侧面形成所述功率半导体模块的平整侧面。根据本发明的功率半导体模块易于将磁芯替换掉，并且有助于减小其尺寸，简化结构以及制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块，包括：将功率半导体器件包容其中的模块封装件；以及按框架成形的磁芯，所述磁芯设置成围绕所述模块封装件，从而所述磁芯围绕在所述功率半导体器件周围。
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