[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一层间绝缘膜，形成在半导体衬底的主表面上方；第一布线，掩埋在形成于所述第一层间绝缘膜中的第一布线沟槽的内部；第二层间绝缘膜，通过用于覆盖所述第一布线的第一阻挡绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上方；熔丝，掩埋在形成于所述第二层间绝缘膜中的第二布线沟槽的内部；第二布线，掩埋在形成于所述第二层间绝缘膜中的第三布线沟槽的内部；第二阻挡绝缘膜，覆盖所述熔丝和所述第二布线；最上层布线，通过第一绝缘膜，形成在所述第二阻挡绝缘膜上方；以及表面保护膜，覆盖所述最上层布线，其中所述第二阻挡绝缘膜比所述第一阻挡绝缘膜厚，以及其中在所述熔丝之上的所述第一绝缘膜和所述表面保护膜中，形成有到达所述第二阻挡绝缘膜的表面的第一开口。