[发明专利]金属箔上受体掺杂的钛酸钡基薄膜电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610095829.X | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1983463A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | S·G·苏;W·J·博兰 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;H01B3/00;C04B35/468;H01G4/12;H01G4/33;H01G2/06;H05K1/16;H05K1/18;H01G13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电介质薄膜组合物以及包含这种组合物的电容器，所述组合物包括：(1)选自(a)钛酸钡、(b)可在烧制期间形成钛酸钡的任何组合物、以及(c)其混合物的一种或多种含钡/钛的添加剂；其溶解于(2)有机媒质；以及其中用0.002到0.05原子百分比的掺杂剂掺杂所述薄膜组合物，所述掺杂剂包括选自Sc、Cr、Fe、Co、Ni、Ca、Zn、Al、Ga、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及其混合物的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 受体 掺杂 钛酸钡 薄膜 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质薄膜组合物，包含：(1)选自(a)钛酸钡、(b)可在烧制期间形成钛酸钡的任何组合物、以及(c)它们的混合物的一种或多种含钡/钛的添加剂；其溶解于(2)有机介质；且所述薄膜组合物用0.002到0.05原子％的掺杂剂掺杂，所述掺杂剂包括选自Sc、Cr、Fe、Co、Ni、Ca、Zn、Al、Ga、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Lu、及它们的混合物的元素。
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