[发明专利]进行湿浸式光刻的方法、湿浸式光刻系统、及装置无效
申请号: | 200610095876.4 | 申请日: | 2006-06-30 |
公开(公告)号: | CN1892433A | 公开(公告)日: | 2007-01-10 |
发明(设计)人: | 张庆裕;林本坚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种湿浸式光刻的方法、湿浸式光刻系统、及装置,包括:湿浸液体座架,用于包含湿浸液体;夹片台,用于将涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片放置在该湿浸液体座架内;以及镜头,紧邻该湿浸液体座架并且可被放置用于通过该湿浸液体而将影像投影在该涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片上。本发明所述的湿浸式光刻的方法和装置可以使湿浸镜头反应室免于遭受缺陷附着。另外,本发明可以减少镜头、光致刻蚀剂、传感器、晶片夹片台和湿浸液体座架间的交互污染。另外,本发明还可以减少装置维修频率和复杂度。另外,本发明可以致使光致刻蚀剂表面免于遭受缺陷和水渍污染,或降低缺陷和水渍污染。 | ||
搜索关键词: | 进行 湿浸式 光刻 方法 系统 装置 | ||
【主权项】:
1.一种进行湿浸式光刻的方法,包括:在湿浸式光刻系统的一个或多个表面涂布涂层,用以控制光刻系统表面的亲水性或疏水性,所述一个或多个表面用于包含湿浸液体;该湿浸式光刻系统提供该湿浸液体;以及使用所述具有一个或多个涂布有涂层的表面的湿浸式光刻系统,对一个涂布有光致刻蚀剂的衬底进行湿浸式光刻。
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