[发明专利]非易失性存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610095921.6 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043056A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 古绍泓;陈映仁;吕文彬;汪大晖 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/36;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多位存储器单元包含一衬底；一多位电荷捕捉层于此衬底之上，此多位电荷捕捉层具有一第一侧边及一第二侧边；一源极区域于此衬底中，一部分此源极区域在此多位电荷捕捉层的此第一侧边之下；一漏极区域于此衬底中，一部分此漏极区域在此多位电荷捕捉层的此第二侧边之下；以及一沟道区域于此衬底中的此源极区域及此漏极区域之间。沟道区域具有一p型掺杂及一n型掺杂之一，且此掺杂配置为提供一最高掺杂浓度于接近此沟道区域的一中心部分。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多位存储器单元，包含：一衬底；一隧道层，位于该衬底之上；一电荷捕捉层，位于该隧道层之上；一绝缘层，位于该电荷捕捉层之上；一栅极，位于该绝缘层之上，且具有一第一侧边及一第二侧边；一源极区域，位于该衬底中，一部分该源极区域在该栅极的该第一侧边之下；一漏极区域，在该衬底中，一部分该漏极区域在该栅极的该第二侧边之下；以及一沟道区域，位于该衬底中的该源极区域及该漏极区域之间，该沟道区域具有一p型掺杂及一n型掺杂之一，且该掺杂配置为提供一最高掺杂浓度于接近该沟道区域的一中心部分。
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