[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200610095926.9 | 申请日: | 2006-06-23 |
公开(公告)号: | CN101005067A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 野见山贵弘 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社;富士电机电子设备技术株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种设有用于外部连接的端子的半导体器件,其中输入端子11、电源端子12和接地端子13被彼此紧靠地设置在两个相对边缘部分中的一个边缘部分10b的一部分上。输出端子14x被设置在该两个边缘部分中的一个边缘部分10a的两端附近以及另一边缘部分10b上。接地布线17从另一边缘部分10b开始布线并连接到接地端子13。如此,连接到输入端子11的构成器件彼此紧靠地设置,由此不会在构成器件之间出现无用的间隙。还通过接地布线提供接地电势。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种设有用于外部连接的端子的半导体器件,其中输入端子、电源端子和接地端子被彼此紧靠地设置在两个相对的边缘部分中的一个边缘部分的一部分上,输出端子被设置在该两个边缘部分中的一个边缘部分的两端附近以及另一边缘部分上,而接地布线从另一边缘部分开始布线并连接到接地端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的