[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200610095948.5 | 申请日: | 2006-06-20 |
公开(公告)号: | CN1885544A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 王知行 | 申请(专利权)人: | R828责任有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/488 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 美国加州圣*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明是提供一种半导体装置,包含一半导体晶片与一晶片承载器。上述半导体晶片具有一射频元件,其具有电性连接于二个接合垫的一射频核心。上述晶片承载器具有二个承载器垫与一天线。上述二个承载器垫电性连接于上述二个接合垫。上述天线连接上述承载器垫,并电性连接于上述接合垫与上述射频核心。上述天线是以焊线、印刷导电物、密封环或其他结构所形成,其是位于上述半导体晶片的上表面上、其上方或其下方。上述半导体晶片更包含一主要元件,而上述射频元件则为一次要元件。上述主要元件位于一主要区,而上述次要元件的射频核心则位于一次要区,上述次要区远小于上述主要区。上述射频核心与上述主要元件的形成,是使用相同的晶片制程。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:一半导体主要元件,用以执行一主要的功能;以及一半导体次要元件,用以执行一射频通讯的功能,该半导体主要元件位于该装置的一主要区,该半导体次要元件具有一次要核心,位于该装置的一次要区,该次要区小于该主要区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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