[发明专利]氮化物类半导体元件无效
| 申请号： | 200610095956.X | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1893110A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 狩野隆司;太田洁 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物类半导体元件，其具备具有主表面的氮化物类半导体层、和在上述氮化物类半导体层的主表面上形成的欧姆电极，上述欧姆电极包含与上述氮化物类半导体层的主表面接触形成的硅层、和在上述硅层上形成的第一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类半导体元件，其特征在于：具备：具有主表面的氮化物类半导体层；和在所述氮化物类半导体层的主表面上形成的欧姆电极，所述欧姆电极包含：与所述氮化物类半导体层的主表面接触形成的硅层；和在所述硅层上形成的第一金属层。
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