[发明专利]一种微片式激光器无效
| 申请号： | 200610096091.9 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101145668A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;凌吉武;陈昭炫;于云龙;杨建阳;陈惠芳;陈卫民 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/042 | 分类号： | H01S3/042;H01S3/10;H01S3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350014福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微片式激光器，其包括泵浦源的半导体激光器、光学耦合系统和微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜，其中微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，致冷片或加热器和热沉保持微片激光器的温度在65℃以上，采用以上结构，使KTP非线性晶体保持65℃以上，缓解或消除其在腔内倍频、差频或和频过程中产生灰迹，从而延长含KTP非线性晶体在腔内倍频、差频或和频的微片式激光器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微片式 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种微片式激光器，包括泵浦源的半导体激光器、光学耦合系统和微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜，微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，其特征在于：致冷片或加热器和热沉保持含KTP晶体微片激光器的温度在65℃以上。
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