[发明专利]半导体晶圆片的清洗方法及其清洗设备

摘要

本发明涉及一种半导体晶圆片的清洗方法及其清洗设备，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用腐蚀槽、喷淋式预冲槽和阶梯式高低冲水槽配套使用，组成一组设备(系统)，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗。本发明采用一根水管的纯水能同时清洗两批圆片，而且能使圆片表面得到充分的清洗，以确保清洗干净；减少了工艺过程中的安全隐患，避免了水污染和酸迹；原预冲槽的进水方式由底部进水改为喷淋式预冲槽顶部边缘进水，水通过边缘上孔后斜喷入槽中，喷水压力有所加大，且方向集中，对圆片的冲洗更为彻底，能改善湿法腐蚀的冲水效果；阶梯式高低冲水槽组成一体，纯水从高端进入，并从顶部和底部流到低端继续使用，可以节省一半纯水。

主权项

1、一种半导体晶圆片的清洗方法，其特征是：(1)、将半导体晶圆片放入腐蚀槽中，腐蚀槽液体温度28～32℃；(2)、在作业腐蚀完成前8～12秒钟，打开喷淋式预冲槽的纯水开关，阶梯式冲水槽的纯水开关和氮气开关；从腐蚀槽中取出半导体晶圆片放入喷淋式预冲槽中上下提拉4～6次，时间为8～12秒钟；(3)、再把半导体晶圆片放入阶梯式低冲水槽内冲水4～5分钟；(4)、然后将半导体晶圆片转移到阶梯式高冲水槽内继续冲水4～5分钟，最后取出，在离心干燥机内以880～920转/分钟的速度甩干5～6分钟。