[发明专利]自剥离氮化镓衬底材料的制备方法无效
| 申请号： | 200610096225.7 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154570A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邱凯;尹志军;李新化;钟飞;解新建;王玉琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法。它包括分子束外延法或金属有机物气相外延法和氢或氯化物气相外延法，步骤为(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层，再使用氢或氯化物气相外延法于其上生长氮化镓外延层；(b)将覆有氮化铝或氮化镓成核层和氮化镓外延层的蓝宝石衬底的温度在时间≤20min降至≤200℃，待氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离后，再分别在低于常压和常压下于氮化镓外延层上使用氢或氯化物气相外延法依次各生长一层氮化镓外延层；(c)经研磨和化学机械抛光，制得自剥离氮化镓衬底材料。它利用蓝宝石衬底与氮化镓间晶格及热膨胀系数差异，仅通过相对快速降温就将两者自剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 氮化 衬底 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法，包括分子束外延法或金属有机物气相外延法和氢或氯化物气相外延法，其特征在于是按以下步骤完成的：(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长一层氮化铝或氮化镓成核层，再使用氢或氯化物气相外延法于其上生长一层氮化镓外延层；(b)将覆有氮化铝或氮化镓成核层和氮化镓外延层的蓝宝石衬底的温度在时间≤20min降至≤200℃，待氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离后，再分别在低于常压和常压下于氮化镓外延层上使用氢或氯化物气相外延法依次各生长一层氮化镓外延层；(c)将三层氮化镓外延层构成的片状物经研磨和化学机械抛光，制得自剥离氮化镓衬底材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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