[发明专利]透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 200610096236.5 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1933067A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;吴文彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/08;H01G4/008;H01G13/00;C04B35/64;C23C16/22;C23C16/48 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所 | 代理人： | 金惠贞 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法，特征是利用脉冲激光沉积镀膜方法在透明导电薄膜镧锶锡氧薄膜上外延生长四方相锆钛酸铅铁电薄膜，然后在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积镧锶锡氧薄膜；得到基底为透明单晶钛酸锶STO(SrTiO3 (001))、铁电电介质层为四方相锆钛酸铅PZT(PbZrxTi1－xO3)薄膜，其上电极和下电极为具有类钙钛矿结构的透明导电薄膜镧锶锡氧LSSO(LaxSr1－xSnO3，0.05≤x≤0.10)薄膜；生长的PZT铁电薄膜具有很好的外延单晶性；所得LSSO/PZT/LSSO/STO结构的外延铁电薄膜电容器，不仅具有很好的铁电回线，而且在400nm－2500nm范围内具有高透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 外延 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种透明外延铁电薄膜电容器的制备方法，首先将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2 和二氧化钛TiO2粉末按照四方相锆钛酸铅PbZrxTi1-xO3即PZT的摩尔比例进行配置，在900℃-1250℃，煅烧2-4小时，烧结成PZT靶材；再将碳酸锶SrCO3、氧化镧La2O3 和氧化锡SnO2粉末按照镧锶锡氧LaxSr1-xSnO3，0.05≤x≤0.10，即LSSO的摩尔比例进行配置，在1350℃-1500℃，煅烧12-20小时，烧结成镧锶锡氧LSSO靶材；采用脉冲激光沉积镀膜方法制备镧锶锡氧薄膜，以透明单晶基底钛酸锶SrTiO3(001)即STO为基底，在钛酸锶STO基底上沉积LSSO薄膜下电极，温度为650℃-750℃，氧压为20Pa-30Pa；其特征在于：再采用脉冲激光沉积镀膜方法在LSSO薄膜上外延生长中间铁电介质层四方相锆钛酸铅薄膜，温度为620℃-700℃，氧压为15Pa-50Pa；最后采用脉冲激光沉积镀膜方法在锆钛酸铅薄膜上再外延生长LSSO薄膜上电极，温度650℃-700℃，氧压为20Pa-30Pa，制备成LSSO/PZT/LSSO/STO结构的透明外延铁电薄膜电容器。
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