[发明专利]耗尽型终端保护结构无效
| 申请号： | 200610096438.X | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1929126A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;李海松 | 申请（专利权）人： | 无锡博创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 214028江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延，在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体，在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔体以外的区域上方设有场氧化层，在场氧化层上方设有多晶场板，在场氧化层、重掺杂N型截止环及多晶场板上覆有介质层，在重掺杂N型截止环及多晶场板上分别连接有金属引线，轻掺杂N型外延上设有接零电位的轻掺杂P型阱，该轻掺杂P型阱位于场氧化层的下面且位于重掺杂N型截止环与原胞腔体之间。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 终端 保护 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底(1)，在重掺杂N型衬底(1)上设有轻掺杂N型外延(2)，在轻掺杂N型外延(2)上设有重掺杂N型截止环(3)及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体(5)，在轻掺杂N型外延(2)的重掺杂N型截止环(3)及原胞腔体(5)以外的区域上方设有场氧化层(6)，在场氧化层(6)上方设有多晶场板(7)，在场氧化层(6)、重掺杂N型截止环(3)及多晶场板(7)上覆有介质层(8)，在重掺杂N型截止环(3)及多晶场板(7)上分别连接有金属引线(9、10)，其特征在于在轻掺杂N型外延(2)上设有接零电位的轻掺杂P型阱(4)，该轻掺杂P型阱(4)位于场氧化层(6)的下面且位于重掺杂N型截止环(3)与原胞腔体(5)之间。
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