[发明专利]同质复合栅场效应晶体管无效
| 申请号： | 200610097014.5 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1953206A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈军宁;柯导明;徐超;代月花;高珊;孟坚;吴秀龙 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/49 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 同质复合栅场效应晶体管，由栅端、源端、漏端和衬底构成场效应晶体管本体，在栅端与衬底之间为绝缘层，沟道形成在源端与漏端之间衬底上，源端在沟道左端延伸为浅源延伸区，漏端在沟道右端延伸为浅漏延伸区；其特征是栅端设置为同质复合栅，多晶硅栅，多晶硅栅的左右两部分分设为不同的导电类型，朝向源端的栅左部为P型多晶硅栅，朝向漏端的栅右部为N型多晶硅栅。本发明既可以得到很高的射频MOSFET驱动电流、跨导和截止频率，同时器件漏漂移区末端的最大场强、热电子效应和短沟道效应又可以得到很大的缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 同质 复合 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种同质复合栅场效应晶体管，由栅端、源端(1)、漏端(2)和衬底(3)构成的场效应晶体管本体，所述源端(1)和漏端(2)分设于衬底(3)的左右两端，所述栅端位于源端(1)和漏端(2)之间的衬底(3)的上方，在栅端与衬底(3)之间为绝缘层(4)，沟道(7)形成在源端(1)与漏端(2)之间的衬底(3)上，所述源端(1)在沟道的左端延伸为浅源延伸区(8)，所述漏端(2)在沟道的右端延伸为浅漏延伸区(9)；其特征是所述栅端设置为同质复合栅，所述同质复合栅为多晶硅栅，多晶硅栅的左右两部分分设为不同的导电类型，包括，朝向源端(1)的栅左部为P型多晶硅栅(5)，朝向漏端(2)的栅右部为N型多晶硅栅(6)，P型多晶硅栅(5)与N型多晶硅栅(6)相接处形成分界面(10)。
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