[发明专利]具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200610097597.1 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101179098A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈家荣;王玉琦;陈文锦;邱凯;李新化 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。二极管为衬底(1)上有氮化镓层(2)、正极、负极(3)和掩模(4)，正极含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)、多晶硅层(6)和金属电极层(5)；方法为(a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，再分别使用现有方法于其上分别生长或淀积正极、负极和掩模；(b)使用低压化学气相淀积法或金属溅射法或电子回旋共振－等离子体增强化学气相淀积法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，同时使用离子注入或扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率，制得本发明二极管。它的正极边缘处的电流分布均匀，极适用于高温大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 效应 金属 氮化 横向 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管，包括衬底(1)上的氮化镓层(2)，以及氮化镓层(2)上的正极、负极(3)和其相互间的掩模(4)，所说正极包含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)和金属电极层(5)，其特征在于：所说正极中还包含有多晶硅层(6)，所说多晶硅层(6)位于所说肖特基接触金属层(7)和金属电极层(5)之间。
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