[发明专利]硅基短波长发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a－Si:H/SiO₂多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。

主权项

1.一种硅基短波长发光二极管，包括P+硅基底材，其特征在于：——在P+硅基底上沉积有相邻层氮组分有差异的所需层数a-SiNx:H多层膜构成的第一组F-P光学微腔；——在第一组F-P光学微腔上淀积有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；——发光有源层上沉积有相邻层氮组分有差异的所需层数a-SiNx:H多层膜构成的第二组F-P光学微腔；——在第二组F-P光学微腔上淀积有电极，并留有窗口。