[发明专利]高压功率集成电路用少子环隔离结构无效
| 申请号： | 200610098371.3 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1996598A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;孙伟锋;李海松;李杰;徐申;夏晓娟;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与P型衬底之间设有深N型阱且该深N型阱延伸至两块场氧化层的下方，上述重掺杂N阱与零电位相连接。本发明能够有效防止外延高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发，且本发明中深N型阱是高压结构中用到的深阱，对衬底注入载流子的吸附效果要比普通低压N型阱结构好。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 功率 集成电路 子环 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高压功率集成电路用少子环隔离结构，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有两块场氧化层(2、3)，其特征在于在P型衬底(1)上设有重掺杂N阱(4)且该重掺杂N阱(4)位于两块场氧化层(2、3)之间，在重掺杂N阱(4)与P型衬底(1)之间设有深N型阱(5)且该深N型阱(5)延伸至两块场氧化层(2、3)的下方，上述重掺杂N阱(4)与零电位相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
