[发明专利]厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200610098372.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1996616A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;李海松;李杰;易扬波;徐申;夏晓娟;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法，本发明的半导体管包括：P型衬底，N型埋层，N型外延层，N型阱和P型漂移区，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层；P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，P型源及N型接触孔上连有金属引线，P型漏上连有金属引线，N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。其制备方法为选择P型衬底，制作N型埋层，N型外延层，P型漂移区和N型阱，P型阱，场氧化层，然后多晶硅栅的生长、刻蚀，源、漏区，引线孔，铝引线的制备及钝化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种厚栅高压P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型埋层(2)，在N型埋层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)上设有N型阱(4)和P型漂移区(5)，在N型阱(4)上设有P型源(6)和N型接触孔(8)，在P型漂移区(5)内设有P型漏(7)，在P型源(6)、N型接触孔(8)、N型阱(4)、N型埋层(2)、P型漂移区(5)及P型漏(7)的上方设有氧化层(9)，在P型源(6)及N型接触孔(8)上连接有金属引线(14)，在P型漏(7)上连接有金属引线(12)，其特征在于在N型阱(4)、P型漂移区(5)、N型外延层(3)与氧化层(9)之间设有场氧化层(10)，该场氧化层(10)自P型源(6)延续至P型漏(7)，在氧化层(9)内设有多晶硅栅(11)且该多晶硅栅(11)位于场氧化层(10)的上方，在多晶硅栅(11)上连接有金属引线(13)。
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