[发明专利]互连中的气隙的横向分布控制无效
| 申请号： | 200610098459.5 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1956165A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 华金·托雷斯;洛朗－乔治·戈塞 | 申请（专利权）人： | 意法半导体简易股份有限公司（克罗尔斯2区）;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/764;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及利用硬掩模衬层能够抵抗去除剂扩散的特性来防止在互连层叠结构的特殊区域形成气腔。发明的方法包括：在IC互连层叠结构的表面限定出专门用于气腔引入的部分，其中所限定的部分小于衬底的表面；在互连层叠结构内形成至少一条金属轨迹以及沉积至少一个互连层，所述互连层包括牺牲材料和渗透性材料；围绕所限定的部分，限定出至少一个沟槽区域并形成至少一个沟槽；沉积硬掩模层以覆盖所述沟槽；以及利用用于去除牺牲材料的去除剂，在表面的限定部分下方，形成至少一个气腔，其中该渗透性材料不受去除剂的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 中的 横向 分布 控制 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，包括：-生成具有至少一个互连层的集成电路互连层叠结构(10)，所述互连层包括牺牲材料(18)和允许去除剂扩散的渗透性材料(22)；-在所述互连层叠结构的表面(15)限定出专门用于气腔引入的部分(14)，所述限定部分(14)小于所述表面；-围绕所述衬底表面的限定部分，限定出至少一个沟槽区域，并且在所述沟槽区域中，在所述互连层叠结构内形成至少一个沟槽(34)；-沉积硬掩模层(26)以覆盖所述沟槽；以及-利用用于去除所述牺牲材料的去除剂(24)，在所述衬底表面的限定部分下方，形成至少一个气腔(32)，其中所述渗透性材料不受所述去除剂的影响。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体简易股份有限公司（克罗尔斯2区）;皇家飞利浦电子股份有限公司，未经意法半导体简易股份有限公司（克罗尔斯2区）;皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610098459.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高尔夫杆头的蜡模制造方法
- 下一篇：抗肿瘤免疫反应中的重要调控基因PIX
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
