[发明专利]动态半导体存储器及其刷新控制方法有效
| 申请号： | 200610098563.4 | 申请日： | 2006-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101047025A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 江渡聪 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低刷新命令请求发生频率的动态半导体存储器及其刷新控制方法。动态半导体存储器具有多个存储器块和存储器核心。每个存储器块具有读取放大器，并且存储器核心由位于连接到读取放大器的多条位线和多条字线的交叉处的存储器单元形成。通过选中每条字线并利用读取放大器同时激活连接到被选中的字线的存储器单元，使存储器块被顺序刷新。该动态半导体存储器具有输出第一内部刷新候选地址的第一刷新计数器和输出与第一内部刷新候选地址不同的第二内部刷新候选地址的第二刷新计数器。当外部访问的地址与第一内部刷新候选地址重合时，从第二内部刷新候选地址开始执行刷新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 半导体 存储器 及其 刷新 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个存储器块的动态半导体存储器，每个所述存储器块具有读取放大器和存储器核心，所述存储器核心由位于连接到所述读取放大器的多条位线和多条字线的交叉处的存储器单元形成，其中，通过选中每条所述字线并利用所述读取放大器同时激活连接到所述被选中的字线的所述存储器单元，使所述存储器块被顺序刷新，所述动态半导体存储器包括：第一刷新计数器，其输出第一内部刷新候选地址；以及第二刷新计数器，其输出与第一内部刷新候选地址不同的第二内部刷新候选地址，其中，在刷新操作中，当外部访问的地址与所述第一内部刷新候选地址重合时，从所述第二内部刷新候选地址开始执行所述刷新操作。
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