[发明专利]复合离子注入轴承真空回火处理方法无效

专利信息
申请号: 200610098680.0 申请日: 2006-07-12
公开(公告)号: CN101104922A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 丁晓纪;丁云涛;刘安东 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;C23C14/54;C21D9/36;C21D9/40;C21D1/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100875北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 复合离子注入轴承真空回火处理方法,可解决轴承在复合离子注入过程中过回火问题。即消除轴承因复合离子注入束流过大、注入时间过长、注入时轴承温度过高,而引起的基体软化;此方法免去轴承在常规热处理程序中的回火工序,避免轴承在常规热处理回火工序中产生的表层氧化问题、有害气体残留问题;复合离子注入轴承真空回火处理方法,比较轴承常规真空回火热处理工序,其特点为:轴承经淬火、加工定型后,直接进行复合离子注入真空回火处理,在保留轴承真空回火热处理工艺优点的同时,进行轴承复合离子注入处理。此方法能充分展现复合离子注入的优点:减少轴承摩擦系数,延长轴承使用寿命,可增加轴承耐高温、耐腐蚀性能、提高接触疲劳强度。同时达到节约能源、提高复合离子注入效率目的。
搜索关键词: 复合 离子 注入 轴承 真空 回火 处理 方法
【主权项】:
1.复合离子注入轴承真空回火处理方法。其特征在于利用复合离子注入过程中,加速电场作用下,注入束流产生的能量,加热被注入的轴承环、滚珠、滚柱。依据注入元素的电离能和注入元素及被注入工件材料中各元素的结合能大小、依据离子注入射程、依据纳米陶瓷膜形成条件、依据材料热处理数据,综合个条件设计注入电压的高低,控制注入复合离子束流的大小等选择各种复合离子注入条件,达到控制被注入轴承环、滚珠或滚柱所接收能量大小。从而控制被注入轴承环、滚珠、滚柱的温度。达到轴承环、滚珠及滚柱复合离子注入真空回火的目的。
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