[发明专利]制作快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200610098829.5 | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1988118A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张民植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制作快闪存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成第一多晶硅层，从而形成浮动栅。在第一多晶硅层上形成隧道介电层。在隧道介电层上形成第二多晶硅层和钨硅化物层，从而形成控制栅，钨硅化物层具有过量硅。钨硅化物层的上部被氧化以使过量的硅远离第二多晶硅层和钨硅化物之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.制作快闪存储器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一多晶硅层从而形成浮动栅；在第一多晶硅层上形成隧道介电层；在隧道介电膜上形成第二多晶硅层和钨硅化物层从而形成控制栅，钨硅化物层具有过量硅；和氧化钨硅化物层的上部以使过量的硅远离第二多晶硅层和钨硅化物之间的界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
