[发明专利]发光二极管的封装方法与结构无效
| 申请号： | 200610099136.8 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114683A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张嘉显;李晓乔;吴易座 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的封装方法与结构。在此封装方法中，利用激光将发光二极管芯片的基材切除，以减少发光二极管芯片的厚度。因此，能封装出体积更小、厚度更薄的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的封装方法，其特征在于，包含：形成至少二焊球分别于一电路基板上的一正极和一负极上；以芯片倒装焊的方式放置一发光二极管芯片于该些焊球之上，以电性连接该发光二极管芯片与该电路基板，其中该发光二极管芯片的一P极与该正极电性连接，该发光二极管芯片的一N极与该负极电性连接；压合该发光二极管芯片与该电路基板；以及激光切除该发光二极管芯片的一基材。
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