[发明专利]单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法无效
| 申请号： | 200610099146.1 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1908249A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 洪宁皓;郭晚锡;崔日洙;赵铉鼎;李洪雨 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;杨小蓉 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅锭和硅片，及其生长装置，以及生长方法。根据单晶硅锭的生长方法，由配置在使用柴式长晶法(柴式长晶法)从熔硅拉引单晶的单晶硅生长装置外侧的线圈部件，沿着生长室(Chamber)施加不对称磁场，并且无须电流控制等附加构成因素而控制上述不对称磁场的比率或强度，以使ZGP(Zero Gauss Plane)能够位于上述熔硅表面的上部。根据如上构成，有以下优点。在不仅制造中小口径还制造200mm以上的大口径单晶的柴式长晶法，通过不对称磁场的控制，对各种要求的氧浓度，在不出现增加热区(H/Z)的替换及参数的替换等损失的情况下，可以使氧浓度沿着结晶长度方向分布均匀。另外，还可以完全控制单晶生长时发生的“花瓣”现象，不受“花”现象发生时不可避免地发生的直径未达引起的最佳长度的下降和P/S下降等参数改变的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 硅片 及其 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅锭的生长装置，使用柴式长晶法生产单晶硅锭，其特征在于：包括，生长室；设置在生长室的内部，且装有熔硅的坩埚；设置在上述坩埚的侧方、用以加热上述熔硅的加热器；拉引从上述熔硅生长出的单晶硅的拉引机构；及设置在上述生长室的外部，对上述熔硅施加不对称磁场的非对称结构的磁铁部件。
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