[发明专利]晶片结构无效
申请号: | 200610099253.4 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101110400A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 卢勇利;翁国良;叶荧财 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;徐金国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶片结构。晶片结构包括:一半导体基材、多个球下金属层以及多个凸块,其中,半导体基材具有一活性表面、多个焊垫以及一保护层。焊垫位于半导体基材的活性表面上,而保护层覆盖住半导体基材的活性表面并曝露出上述焊垫。球下金属层分别配置于焊垫上,且各球下金属层包括:一黏着层、一超晶格阻障层与一沾附层。黏着层配置于焊垫上;超晶格阻障层配置于黏着层上,且其包括多个交替堆栈的次阻障层与次沾附层,沾附层配置于超晶格阻障层上。凸块配置于沾附层上。 | ||
搜索关键词: | 晶片 结构 | ||
【主权项】:
1.一种晶片结构,其特征在于,该晶片结构包括:一半导体基材,具有一活性表面,其中该半导体基材具有多个位于该活性表面上的焊垫以及一覆盖住该活性表面并将所述多个焊垫暴露的保护层;多个球下金属层,配置于所述多个焊垫上,每一所述多个球下金属层包括:一黏着层,配置于所述多个焊垫上;一超晶格阻障层,配置于该黏着层上,其中该超晶格阻障层包括多个交替堆栈的次阻障层与次沾附层;一沾附层,配置于该超晶格阻障层上;以及多个凸块,配置于该沾附层上。
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