[发明专利]形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂无效

专利信息
申请号: 200610099256.8 申请日: 2006-07-21
公开(公告)号: CN101110376A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 伍恩杰;黄友发;陈辉鸿;蔡骐隆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/28;H01L23/485;C09K13/04;C23F1/16
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;徐金国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂,该方法首先提供一表面形成有一黏着层、一阻障层与一湿润层的基底。然后形成一图案化的光阻层,并且其至少包含一个暴露部分湿润层的开口。接着在开口中填入焊料,再除去光阻层。随后利用一包含硫酸、磷酸、氯化铁、过硫酸铵或过硫酸氢钾的刻蚀剂刻蚀部分湿润层与阻障层。接着用第二刻蚀剂刻蚀部分黏着层,最后再进行回焊制程。
搜索关键词: 形成 焊接 方法 及其 刻蚀
【主权项】:
1.一种形成焊接凸块的方法,其特征在于,该方法包含有:提供一基底,且该基底表面形成一凸块下金属层,其包含有:有一黏着层(adhesion layer)、一阻障层(barrier layer)与一湿润层,该基底与该凸块下金属层之间还包含有:至少一焊垫,电连接设于该基底中的电路;以及一图案化保护层,覆盖在该基底表面并暴露部分该焊垫;在该润湿层表面形成一图案化光阻层,且该图案化光阻层至少包含有一位于该焊垫上方的开口,用以暴露部分该湿润层;在该开口中填入一焊料;进行一光阻剥离步骤,以移除该图案化光阻层;利用一第一刻蚀剂进行第一刻蚀制程,利用该焊料当作遮罩以刻蚀部分该湿润层与部分该阻障层,其中该第一刻蚀剂选自由硫酸、磷酸、氯化铁、过硫酸铵以及过硫酸氢钾所组成的混合溶液;利用一第二刻蚀剂进行第二刻蚀制程,以刻蚀部分该黏着层;以及进行一回焊(reflow)制程以形成该焊接凸块。
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