[发明专利]形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂无效
申请号: | 200610099256.8 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101110376A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 伍恩杰;黄友发;陈辉鸿;蔡骐隆 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L23/485;C09K13/04;C23F1/16 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;徐金国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂,该方法首先提供一表面形成有一黏着层、一阻障层与一湿润层的基底。然后形成一图案化的光阻层,并且其至少包含一个暴露部分湿润层的开口。接着在开口中填入焊料,再除去光阻层。随后利用一包含硫酸、磷酸、氯化铁、过硫酸铵或过硫酸氢钾的刻蚀剂刻蚀部分湿润层与阻障层。接着用第二刻蚀剂刻蚀部分黏着层,最后再进行回焊制程。 | ||
搜索关键词: | 形成 焊接 方法 及其 刻蚀 | ||
【主权项】:
1.一种形成焊接凸块的方法,其特征在于,该方法包含有:提供一基底,且该基底表面形成一凸块下金属层,其包含有:有一黏着层(adhesion layer)、一阻障层(barrier layer)与一湿润层,该基底与该凸块下金属层之间还包含有:至少一焊垫,电连接设于该基底中的电路;以及一图案化保护层,覆盖在该基底表面并暴露部分该焊垫;在该润湿层表面形成一图案化光阻层,且该图案化光阻层至少包含有一位于该焊垫上方的开口,用以暴露部分该湿润层;在该开口中填入一焊料;进行一光阻剥离步骤,以移除该图案化光阻层;利用一第一刻蚀剂进行第一刻蚀制程,利用该焊料当作遮罩以刻蚀部分该湿润层与部分该阻障层,其中该第一刻蚀剂选自由硫酸、磷酸、氯化铁、过硫酸铵以及过硫酸氢钾所组成的混合溶液;利用一第二刻蚀剂进行第二刻蚀制程,以刻蚀部分该黏着层;以及进行一回焊(reflow)制程以形成该焊接凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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