[发明专利]形成接触孔的方法和利用该方法制造薄膜晶体管板的方法无效
| 申请号： | 200610099328.9 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1897248A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 秦洪基;金湘甲;吴旼锡;丁有光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于形成接触孔的方法，包括：在基板上形成导电层；将导电层图样化以形成布线；通过低温处理在布线和基板上形成绝缘层，以及利用缺氧气体对绝缘层进行干法蚀刻以暴露布线。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 方法 利用 制造 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成接触孔的方法，包括：在基板上形成导电层；将所述导电层图样化，以形成布线；通过低温沉积处理在所述布线和所述基板上形成绝缘层；以及利用缺氧气体对所述绝缘层进行干法蚀刻，以暴露所述布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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