[发明专利]具有静电卡盘电压反馈控制的双偏置频率等离子体反应器有效
申请号: | 200610099337.8 | 申请日: | 2006-07-17 |
公开(公告)号: | CN101110347A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 蒋国杨;丹尼尔·J·霍夫曼;史蒂文·C·香农;道格拉斯·H·伯恩斯;翁瑟科·李;柯康苏 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32;H05H1/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 等离子体反应器具有用于供应分别包括第一频率分量和第二频率分量的RF偏置功率的双频等离子体RF偏置功率源和具有耦合到等离子体RF偏置功率源的输入端和耦合到晶片支撑基座的输出端的RF功率路径,以及提供代表RF功率路径的输入端附近处的测量电压的第一频率分量和第二频率分量以及测量电流的第一频率分量和第二频率分量的测量信号的传感器电路。反应器还包括用于提供晶片电压信号的第一频率分量和第二频率分量的处理器,所述晶片电压信号的第一频率和第二频率分量分别是测量电压和测量电流的第一频率分量分别乘上第一系数和第二系数的第一加和,以及测量电压和测量电流的第二频率分量分别乘上第三系数和第四系数的第二加和。处理器通过利用互调制校正因子组合晶片电压的第一频率分量和第二频率分量的DC分量来生成DC晶片电压,互调制校正因子是被升高到选定功率并且乘上选定系数的晶片电压的第一分量和第二分量的DC分量的乘积。 | ||
搜索关键词: | 具有 静电 卡盘 电压 反馈 控制 偏置 频率 等离子体 反应器 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体反应器,包括:真空室和所述室内用于支持要处理的晶片的静电卡盘,以及静电卡盘供应电压源;用于将处理气体供应到所述室内的处理气体入口;等离子体射频偏置功率供应和射频功率路径,所述射频功率路径具有耦合到所述等离子体射频偏置功率供应的输入端和耦合到所述晶片的支撑基座的输出端,以及提供代表所述射频功率路径的输入端附近处的测量电压和测量电流的测量信号的传感器电路;用于提供晶片电压信号的处理器,所述晶片电压信号是所述测量电压和所述测量电流分别乘上第一系数和第二系数的加和,所述晶片电压信号代表所述晶片的支撑基座上支撑的晶片上的电压;以及控制所述静电卡盘的直流供应电压以管理钳制电压的反馈控制回路,所述钳制电压包括所述晶片电压的直流分量和所述静电卡盘的所述供应电压源的电压之间的差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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