[发明专利]积层陶瓷电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610099526.5 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1905098A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 西川润;水野洋一;织茂宽和 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/005;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种积层陶瓷电容器，无论介电体层与内部电极层的厚度以及零件尺寸如何，均可以确保具有较高的抗折强度。此积层陶瓷电容器通过使用已实质性氧化的电极层作为多个内部电极层11b中位于积层方向两端的两个内部电极层11b1，并且利用已氧化的内部电极层11b1的抗折强度显著高于未氧化的剩余内部电极层11b的抗折强度，而可以提高积层陶瓷电容器10自身的抗折强度。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种积层陶瓷电容器，其特征在于：具备介电体层与内部电极层交替堆积的结构，且多个内部电极层中，包含位于积层方向两端的两个内部电极层的积层方向两侧之一层以上的内部电极层，已实质性氧化而不再发挥内部电极层的功能，因此可以通过未氧化的剩余内部电极层而决定静电容量。
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