[发明专利]用于离子源的发射器及其生产方法无效
| 申请号： | 200610099530.1 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1909147A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 沃夫冈·皮尔茨;罗萨尔·比斯彻夫 | 申请（专利权）人： | ICT半导体集成电路测试有限公司 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02;H01J37/08;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于液态金属离子源的发射器(100)，所述发射器包括导线(100)，所述导线包括：基本弯曲的部分(115)和表面(120)；其中，导线表面(120)至少一部分(125)在所述基本弯曲的部分(115)处变尖以形成发射器尖端。此外，还提供了用于这种发射器的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子源 发射器 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于液态金属离子源的发射(100)，包括：导线(110)，所述导线包括：基本弯曲的部分(115)和表面(120)；其中，所述导线表面(120)的至少一部分(125)在所述基本弯曲的部分(115)处变尖以形成发射器尖端。
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