[发明专利]将MOSFET用作反熔丝的方法无效
| 申请号： | 200610099618.3 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1881616A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | T·沙夫罗特;F·尚伯格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 将MOSFET用作反熔丝的方法，包括以下步骤：提供具有用于输运电流的沟道区的MOSFET，所述沟道区设置在源区和漏区之间且通过栅电介质与栅电极分开；在沟道区中产生热载流子；通过把热载流子引入栅电介质中降低栅电介质的绝缘性能；以及施加通过在栅电极和沟道区之间的热载流子减小的击穿电压，用于栅电介质的击穿，和相应的MOSFET半导体元件和相应的集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 用作 反熔丝 方法 | ||
【主权项】：
1、将MOSFET用作反熔丝的方法，包括以下方法步骤：(S1)提供具有用于输运电流的沟道区(5)的MOSFET，所述沟道区设置在源区(3)和漏区(4)之间且通过栅电介质(6)与栅电极(7)分开；(S2)在沟道区(5)中产生热载流子；(S3)通过把热载流子引入栅电介质(6)中降低栅电介质(6)的绝缘性能；和(S4)施加通过栅电极(7)和沟道区(5)之间的热载流子减小的击穿电压(U2)，用于栅电介质(6)的击穿。
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