[发明专利]执行双重曝光光刻的方法、程序产品和设备

摘要

一种基于具有要被成像到衬底上的特征的目标图案生成用于多重曝光光刻成像工艺中的互补掩膜的方法包括以下步骤：对应于目标图案限定初始H掩膜；对应于目标图案限定初始V掩膜；在具有比预定临界宽度更小的宽度的H掩膜中识别水平临界特征；在具有比预定临界宽度更小的宽度的V掩膜中识别垂直临界特征；将第一相移和第一透射百分率分配到要被形成在H掩膜中的水平临界特征；和把第二相移和第二透射百分率分配到要被形成在V掩膜中的垂直临界特征。该方法进一步包括把铬分配到H掩膜和V掩膜中的具有大于或等于预定临界宽度的宽度的所有非临界特征的步骤。利用铬在H掩膜和V掩膜中形成非临界特征。通过成像H掩膜和V掩膜将目标图案成像到衬底上。

主权项

1、一种基于具有要被成像到衬底上的特征的目标图案生成互补掩膜的方法，所述互补掩膜用于多重曝光光刻成像工艺中，所述方法包括以下步骤：对应于所述目标图案限定初始H掩膜；对应于所述目标图案限定初始V掩膜；在所述H掩膜中识别水平临界特征，所述水平临界特征具有比预定临界宽度更小的宽度；在所述V掩膜中识别垂直临界特征，所述垂直临界特征具有比预定临界宽度更小的宽度；将第一相移和第一透射百分率分配到所述水平临界特征，所述水平特征要被形成在所述H掩膜中，以便展示所述第一相移和所述第一透射百分率；和将第二相移和第二透射百分率分配到所述垂直临界特征，所述垂直特征要被形成在所述V掩膜中，以便展示所述第二相移和所述第二透射百分率。