[发明专利]单片2波长半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610099759.5 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1933265A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 松木义幸;万浓正也;福久敏哉;鹈饲勉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/16;H01S5/22;H01S5/227;H01S5/343;H01S5/323;G11B7/125 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(1.5e18cm－3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm－3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 波长 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单片2波长半导体激光器，在第1导电型衬底(101)上形成振荡波长不同的第1半导体激光器、第2半导体激光器，其特征在于，具有端面窗结构，并且第1导电型衬底(101)上具有包含第1导电型的第1包层(103)、多量子阱结构的第1激活层(104)、和第2导电型的第2包层(105)的第1半导体激光器双异质结构、以及包含第1导电型的第3包层(108)、多量子阱结构的第2激活层(109)、和第2导电型的第4包层(110)的第2半导体激光器双异质结构；第2半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度高于第1半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度。
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