[发明专利]布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法无效
| 申请号： | 200610099986.8 | 申请日： | 2000-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1933142A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 须泽英臣;小野幸治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 及其 制造 方法 包括 所说 半导体器件 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种布线，包括钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜或具有钨合金作其主要成分的金属合金膜，其中所说布线的锥角(α)为5-85度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610099986.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗和测定
- 下一篇：热塑性树脂组合物以及使用该组合物的成型品
