[发明专利]浸润式光刻的方法及其处理系统无效
| 申请号： | 200610100019.9 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1892436A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕;游大庆;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 浸润 光刻 方法 及其 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种浸润式光刻的方法，包括：提供一光阻层在一半导体基底上；使用一浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层，该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用一液体；在曝光后及曝光后烘烤前对该光阻层进行一处理步骤，用以去除任何残留的该液体；曝光后烘烤该光阻层；以及显影该光阻层。
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