[发明专利]膜接合方法、膜接合装置以及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 200610100026.9 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101026101A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 新城嘉昭;下别府佑三;手代木和雄;吉本和浩 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供膜接合方法、膜接合装置以及半导体器件制造方法。该膜接合方法能够在不引起任何断裂的情况下接合芯片贴装膜。利用膜设置辊和膜接合辊朝着接合有表面保护胶带的晶片按压芯片贴装膜，并向辊之间的区域照射具有预定形状的激光束。在旋转移动膜设置辊和膜接合辊的同时，随着它们的移动在晶片上扫描激光束。通过跟随膜设置辊的膜接合辊，朝着晶片按压被激光束熔融的芯片贴装膜部分，以将芯片贴装膜接合到晶片。由于利用激光束来熔融芯片贴装膜从而将芯片贴装膜接合到晶片上，因此即使晶片较薄并且强度减小，也能使晶片避免例如由表面保护胶带的热收缩带来的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 方法 装置 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种膜接合方法，包括如下步骤：在衬底上设置膜；选择性照射激光束至该膜上，以选择性地熔融该膜；以及朝着该衬底按压处于熔融状态的膜部分，以将该膜结合到该衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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