[发明专利]干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610100052.1 申请日: 2006-06-27
公开(公告)号: CN101021010A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 中川秀夫;笹子胜;村上友康 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: C23F4/00 分类号: C23F4/00;C23F1/12;H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于:以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且,提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体,对含钨和碳的物体进行蚀刻,该混合气体由含氟原子的气体、和含CN结合及氢原子的气体构成。
搜索关键词: 蚀刻 方法 微细 结构 形成 模具 及其 制造
【主权项】:
1、一种干蚀刻方法,其特征在于:使用从混合气体生成的等离子体对含钨和碳的物体进行蚀刻,该混合气体由含氟原子的气体、和含CN结合及氢原子的气体构成。
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