[发明专利]氮化物半导体衬底的制造方法及复合材料衬底

摘要

一种氮化物半导体衬底的制造方法是先提供一个第一衬底，这个第一衬底包括第一基材、堆叠于第一基材上的氮化物半导体模板层以及堆叠于氮化物半导体模板层上的第一介质层。接着，构图第一介质层和氮化物半导体模板层，再提供一个第二衬底，这个第二衬底包括第二基材以及堆叠于第二基材上的第二介质层。随后，以键合转移工艺将第一衬底的氮化物半导体模板层以及第一介质层转移到第二衬底的第二介质层上，然后利用一道外延工艺自氮化物半导体模板层生长一层氮化物半导体厚膜。之后，将氮化物半导体厚膜与第二衬底分离。

主权项

1.一种氮化物半导体衬底的制造方法，包括：提供第一衬底，该第一衬底包括第一基材、堆叠于该第一基材上的氮化物半导体模板层以及堆叠于该氮化物半导体模板层上的第一介质层；构图该第一介质层和该氮化物半导体模板层；提供第二衬底，该第二衬底包括第二基材以及堆叠于该第二基材上的第二介质层；以键合转移工艺将该第一衬底的该氮化物半导体模板层以及该第一介质层转移到该第二衬底的该第二介质层上；利用外延工艺自该氮化物半导体模板层生长氮化物半导体厚膜；以及分离该氮化物半导体厚膜与该第二衬底。