[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制法，及存储器无效
| 申请号： | 200610100116.8 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1893079A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 玄在雄;朴允童;金元柱;边成宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/11;H01L27/04;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种鳍式FET CMOS器件及其制造方法，以及具有所述鳍式FETCMOS器件的存储器。所述CMOS器件包括：衬底；设置在所述衬底上的n型晶体管；设置在n型晶体管上的层间绝缘层；以及设置在所述层间绝缘层上的p型晶体管。所述n型晶体管和p型晶体管具有公共栅极绝缘层和鳍式栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体器件 及其 制法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的n型晶体管；设置在所述n型晶体管上的层间绝缘层；以及设置在所述层间绝缘层上的p型晶体管，其中，所述n型晶体管和p型晶体管具有公共栅极绝缘层和公共鳍式栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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