[发明专利]具有碳堆叠电容器的DRAM无效
| 申请号： | 200610100187.8 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1893083A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | A·格拉哈姆;G·迪斯伯格;W·施泰因赫格尔 | 申请（专利权）人： | 秦蒙达股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种DRAM堆叠电容器及其其制造方法。该DRAM堆叠电容器形成有包括导电碳层的第一电容器电极、电容器介电层和第二电容器电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 电容器 dram | ||
【主权项】：
1.一种DRAM堆叠电容器，包括：提供于导电区上的第一电容器电极，该导电区电连接至半导体衬底内的存储单元的传输器件，该第一电容器电极包括导电碳层；提供于该第一电容器电极上的电容器介电层；以及提供于该电容器介电层上的第二电容器电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
