[发明专利]修补结构与主动元件阵列基板有效
申请号: | 200610100236.8 | 申请日: | 2006-07-05 |
公开(公告)号: | CN1877844A | 公开(公告)日: | 2006-12-13 |
发明(设计)人: | 吕安序 | 申请(专利权)人: | 广辉电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/133 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何春兰 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种修补结构与主动元件阵列基板,所述修补结构包括至少一第一导线、一第一绝缘层、至少一第二导线以及一修补连接层。其中,第一绝缘层覆盖第一导线。第二导线配置于第一绝缘层上方。第二绝缘层覆盖第二导线与第一绝缘层。修补连接层配置于第二绝缘层上。特别是,修补连接层与第一导线电性连接,且修补连接层与第二导线重叠但彼此不电性连接。依据上述,本发明提出一种可提高修补合格率的修补结构。 | ||
搜索关键词: | 修补 结构 主动 元件 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种修补结构,其特征是,包括:至少一第一导线;一第一绝缘层,覆盖该第一导线;至少一第二导线,配置于该第一绝缘层上方;一第二绝缘层,覆盖该第二导线与该第一绝缘层;以及一修补连接层,配置于该第二绝缘层上,其中该修补连接层与该第一导线电性连接,且该修补连接层与该第二导线重叠但彼此不电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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