[发明专利]信息记录介质有效

专利信息
申请号: 200610100582.6 申请日: 2001-08-31
公开(公告)号: CN1877720A 公开(公告)日: 2006-12-13
发明(设计)人: 西原孝史;儿岛理惠;山田升 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24;G11B7/243;G11B7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质,及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20),第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4),第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且,第1记录层(4)由第1材料组成,第2记录层(14)由第2材料组成,且两种材料不同。
搜索关键词: 信息 记录 介质
【主权项】:
1.一种包括第一信息层和第二信息层的信息记录介质,第一信息层包括第一记录层,其中,由于激光照射或外加电流所产生的焦耳热而导致在晶相与非晶相之间发生可逆性相变,第二信息层包括第二记录层,其中,由于激光照射或外加电流所产生的焦耳热而导致在晶相与非晶相之间发生可逆性相变,第一记录层由第一材料构成,第二记录层由第二材料构成,当第一记录层为晶相时的第一信息层的透射率Tc(%)和第一记录层为非晶相时的第一信息层的透射率Ta(%)满足40≤(Tc+Ta)/2,第二材料用下述组成式表示:(SbxTe100-x)100-yM1y,其中M1是从Ag,In,Ge,Sn,Se,Bi,Au和Mn中选择的至少一种元素,并且50≤x≤95,以及0<y≤20。
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