[发明专利]具有高击穿电压的电压夹断装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610100624.6 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1877853A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰;伍佑国;林隆世 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种利用两个耗尽边界形成夹断机制的电压夹断装置。电压夹断装置的夹断电压可通过以下来参数来调整：(1)栅极电压、(2)准连接阱的间隙、(3)准连接阱的掺杂浓度及深度以及(4)具有与准连接阱掺杂极性互补的阱的掺杂浓度及深度。依据本发明的电压夹断装置可集成于半导体装置内，作为与传统变压器相比尺寸微型的降压装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，适于通过阱的掺杂分布与依据电压变化调制所述阱的第一耗尽边界和第二耗尽边界的相对位置而产生电压夹断效果，其中在所述半导体装置的输出端子处的最大输出电压电势由控制电压电势所控制。
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