[发明专利]半导体器件

摘要

一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。

主权项

1.一种具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件，所述薄膜晶体管包括：形成于绝缘表面且包括其中形成的含多个柱状或毛细晶体的有源层的半导体薄膜，形成于所述有源层上的栅绝缘膜：以及在所述栅绝缘膜上的栅电极，其中，位于所述有源层中晶体之间的晶界是电的不活性晶界，其中，所述栅绝缘膜包括所述有源层的热氧化物膜和硅氧化物膜、其中，所述热氧化物膜的厚度小于所述硅氧化物膜的厚度，以及其中，所述有源层包含用于在浓度为每立方厘米1×1018个原子或以下时促进晶化的金属元素。