[发明专利]半导体技术中产生间距细分的方法有效
申请号: | 200610100990.1 | 申请日: | 2006-08-01 |
公开(公告)号: | CN1909205A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | S·帕拉斯坎多拉;D·卡斯帕里 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;魏军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 在周期结构的图案层的条状部分的侧壁上形成隔离物。去除图案层,并且用另外的隔离层覆盖该隔离物,接着将其构造成第二侧壁隔离物。用互补层填充隔离物之间的间隙。将上表面平面化到较低的表面水平,保留第一隔离物、第二隔离物和互补层的剩余部分的周期顺序。以去除保留层的一层或两层提供更小间距的周期图案的方式修改横向尺寸。 | ||
搜索关键词: | 半导体 技术 产生 间距 细分 方法 | ||
【主权项】:
1.半导体技术中制造间距细分的方法,包括:提供具有图案层的衬底,其被构造成彼此平行延伸的分开的条状部分;所述条状部分具有侧壁和横向尺寸,其对于所述部分的每一个是相同的;所述条状部分被设置成彼此隔开一段距离,对于所述部分的每两个相邻部分所述距离是相同的;在所述图案层上共形地施加第一隔离层;各向异性地蚀刻所述第一隔离层以在所述条状部分的所述侧壁上形成第一隔离物;去除所述图案层,使所述第一隔离物每个具有两个主侧壁;共形地施加第二隔离层;各向异性地蚀刻第二隔离层以在所述第一隔离物的所述侧壁上形成第二隔离物,使得在位于彼此面对的侧壁上的所述第二隔离物对之间保留空余空间;施加互补层以填充所述空余空间;形成所述第一隔离物、所述第二隔离物和所述互补层的上表面的平坦表面;以及去除从包括第一隔离物、第二隔离物、互补层、第一和第二隔离物、第一隔离物和互补层、以及第二隔离物和互补层的组中选择的至少一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造